砷化镓（gallium arsenide）是一种重要的半导体材料，化学式GaAs，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数第六节5×10-10m，禁带宽度第四节电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。

砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。而生产GaAs的原材料主要有Ga（镓）、As（砷）、Al2O3（氧化铝）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（镓）是最为可贵的原材料。

砷化镓广泛运用于高频及无线通讯(主要为超过1G H z以上的频率).适于制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。砷化镓除在IC产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长,制作成光电元件。

早在2007年，发光二极管就占据砷化镓大块垫底市场需求39%的最大份额。到2012年光电市场的终端需求的年平均复合增长率（CAAGR）由20%左右增长到79%左右。2013年，全球半绝缘砷化镓的需求量增长不到1%。尽管需求量有所增长，收入还是比2012年减少了5%。

近年来，我国GaAs产量总体而言呈现出较快增长的态势；不过近两年来，由于替代品的竞争，产量增长速度有所减缓。2013年，我国GaAs产量达到415吨，同比增长#01%。2013，我国GaAs销量达360吨，同比增长第三十四节%，销售额达到12亿元。

未来几年，随着我国光电通信等行业继续大力发展。GaAs行业的市场需求潜力依然较大。预测到2018年，我国GaAs市场销售额将接近19亿元。

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