二、上游分析
1.碳化硅器件成本占比
在碳化硅器件的制造成本结构中,衬底成本通常占据最大比例,占比可达47%,其次是外延成本,占比约23%,这两大工序是碳化硅器件的重要组成部分,它们的制备难度非常大,技术以及成本也非常高。此外,前段和研发费用也是成本结构中的重要部分,分别占比19%和6%左右。
数据来源:中商产业研究院整理
2.碳化硅衬底
碳化硅衬底具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。中商产业研究院发布的《2024-2029年中国碳化硅衬底行业市场前景预测与发展趋势研究报告》显示,2023年全球导电型和半绝缘型碳化硅衬底的市场规模分别达到6.84亿美元和2.81亿美元。中商产业研究院分析师预测,2024年全球市场规模将分别达到9.07亿美元和3.26亿美元。
数据来源:Yole、中商产业研究院整理
碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)等规格,碳化硅衬底正不断向大尺寸的方向发展。目前行业内企业主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸,8英寸处于研发阶段。碳化硅衬底材料制备具有极高的技术门槛,目前能够规模化供应高品质、车规级碳化硅衬底的企业数量较少。从行业竞争格局来看,在2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行中,中国天岳先进(SICC)超过美国Coherent,跃居全球第二,天科合达(TankeBlue)市场份额位列第四。
资料来源:中商产业研究院整理