二、上游
（一）IGBT
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的「CPU」。
1、IGBT市场供需
中国已经成为全球最大的IGBT市场，近年来IGBT产量及需求量持续增长。2021年我国IGBT行业产量将达到0.26亿只，需求量约为1.32亿只。预计2022年我国IGBT行业产量将达到0.41亿只，需求量约为1.56亿只。
数据来源：Yole、中商产业研究院整理
2、IGBT竞争格局
由于IGBT对设计及工艺要求较高，而国内缺乏IGBT相关技术人才、工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚，因此IGBT市场长期被大型国外跨国企业垄断。自2015年以来，我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长，预计2024年我国IGBT自给率将达40%。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，国产替代成为国内IGBT行业的发展趋势。
数据来源：Yole、中商产业研究院整理
目前，国内IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占据。中国IGBT市场占比前三的分别是英飞凌、三菱电机和富士电机。其中占比最高的是英飞凌，为15.9%。
数据来源：中商产业研究院整理
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