中商情报网讯：据悉，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代。预计2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值约为70亿元。其中，SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%；GaN微波射频产业产值2020年将达33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%。
数据来源：中商产业研究院整理
在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择，适用于5G通信、微波射频等领域的应用。
具体来看，氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别，同样分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料，但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
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中商产业研究院特整理第三代半导体材料氮化镓概念股相关企业名单如下：
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